Copper deposit process

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 21/44 (2006.01) C23C 18/16 (2006.01) C25D 5/54 (2006.01) C25D 7/12 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01) H01L 21/32 (2006.01)

Patent

CA 2381503

Method and system for controllable deposit of copper onto an exposed surface of a workpiece, such as a semiconductor surface. A seed thickness of copper is optionally deposited onto the exposed surface, preferably using oxygen-free liquid ammonia to enhance this deposition. The workpiece exposed surface is then immersed in an electroplating solution, including copper and liquid ammonia at a suitable pressure and temperature, and copper is caused to plate onto the exposed surface at a controllable rate. When the copper deposited on the exposed surface reaches a selected total thickness, electroplating is discontinued, the electroplating solution is removed, and the gaseous and liquid ammonia are recovered and recycled for re-use.

L'invention concerne un procédé et un système permettant de réguler le dépôt de cuivre sur une surface exposée d'un outil à travailler, telle qu'une surface de semiconducteur. Une couche de démarrage de cuivre est éventuellement déposée sur la surface exposée, de préférence, au moyen d'ammoniac liquide sans oxygène de manière à améliorer le dépôt. La surface exposée de la pièce à travailler est ensuite immergée dans une solution d'électrodéposition, comprenant le cuivre et l'ammoniac liquide à un niveau de pression et à une température adéquates, le cuivre étant contraint de se plaquer sur la surface exposée à une vitesse régulable. Lorsque le cuivre déposé sur la surface exposée atteint une épaisseur totale déterminée, l'électrodéposition est interrompue, la solution d'électrodéposition retirée, l'ammoniac liquide et l'ammoniac gazeux sont récupérés et recyclés pour ensuite être réutilisés.

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