C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 11/00 (2006.01) C30B 11/12 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2168871
A process for fabricating a multilayer crystalline structure of nitrides of metals from group III of periodic table including GaN, AlN and InN is provided. The process includes the steps of heating a group III metal (26) to a temperature T1 under an equilibrium nitrogen pressure while maintaining group III metal nitride stability to form a first crystal layer of the group III metal nitride. Thereafter the method includes the step of forming a second crystal layer (28) of the group III metal nitride by decreasing the nitrogen pressure such that the second crystal layer grows on the first layer with a growth rate slower than the growth rate of the first layer at a temperature T2 not greater than temperature T1. The second layer (28) grows on at least a portion of the first layer at a pre-determined thickness under the new nitrogen pressure.
Procédé de fabrication d'une structure multicouche cristalline de nitrures de métaux du groupe III du tableau périodique, notamment le GaN, l'AiN et l'InN. Le procédé consiste à porter un métal du groupe III (26) à une température (T1) sous une pression d'équilibre d'azote, et simultanément à préserver la stabilité du nitrure du métal du groupe III, de manière à former une première couche cristalline du nitrure du métal du groupe III; puis à former une seconde couche cristalline (28) du nitrure du métal du groupe III par réduction de la pression de l'azote de manière à provoquer la croissance de la seconde couche cristalline sur la première couche à une vitesse inférieure à la vitesse de croissance de la première couche, et à une température (T2) égale ou inférieure à la température (T1). La croissance de la seconde couche (28) se produit sur au moins une partie de la première couche et selon une épaisseur prédéterminée sous la nouvelle pression d'azote.
Grzegory Izabella
Jun Jan
Krukowski Stanislaw
Porowski Sylwester
Wroblewski Miroslaw
Centrum Badan Wysokocisnieniowych
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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