H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 7/24 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/513 (2006.01) C23C 16/517 (2006.01) C23C 16/54 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
Patent
CA 2399895
A novel high speed, high quality plasma enhanced surface modification or CVD thin-film deposition method and apparatus. The invention employs both microwave (5) and e-beam energy (6) for creation of a plasma of excited species which modify the surface of substrates (2) or are deposited onto substrates to form the desired thin film. The invention also employs a gas jet system (3) to introduce the reacting species to the plasma. This gas jet system (3) allows for higher deposition speed than conventional PECVD processes while maintaining the desired high quality of the deposited materials.
On décrit un nouveau procédé et un nouvel appareil de dépôt de films minces par CVD ou de modification de la surface activée par plasma de haute qualité et à grande vitesse. On utilise dans l'invention à la fois l'énergie des ondes ultracourtes (5) et l'énergie (6) d'un faisceau d'électrons pour créer un plasma d'espèces excitées qui modifient la surface de substrats (2) ou qui sont déposées sur des substrats pour former le film mince désiré. Cette invention utilise également un système (3) à jet de gaz pour introduire les espèces réagissantes dans le plasma. Ce système (3) à jet de gaz assure une vitesse de dépôt supérieure aux procédés classiques de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma tout en conservant la haute qualité désirée des matériaux déposés.
Doehler Joachim
Izu Masatsugu
Jones Scott
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1641006