G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 5/00 (2006.01) G11C 11/21 (2006.01) G11C 11/34 (2006.01) G11C 11/56 (2006.01) H01L 23/482 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01)
Patent
CA 2227612
An electrically operated memory element (30) includes a volume of memory material (36) characterized by: a large dynamic range of electrical resistance values; and the ability of at least a filamentary portion to be set, by the selected electrical signal to any resistance value in the dynamic range, regardless of the previous resistance value of the material so as to provide a single cell with multibit storage capabilities. The memory element (30) also includes a pair of contacts (6, 8) including 1) a thin-film layer (34, 38), preferably titanium carbonitride or titanium siliconitride, disposed adjacent to the memory material (36), used as a diffusion barrier to inhibit foreign material from entering the memory material (36), and 2) a thin-film layer (32, 40), preferably a Ti-W alloy, disposed remote to the memory material, used to provide a barrier to aluminum electromigration, diffusion and providing an ohmic contact at the aluminum interface.
La présente invention concerne un élément mémoire (30) mis en oeuvre électriquement. Cet élément renferme un volume de matériau (36) mémoire se caractérisant, d'une part, par des valeurs de résistance électrique réparties sur une plage dynamique étendue, et d'autre part par l'aptitude d'au moins une partie filamentaire à prendre, sous l'effet du signal électrique sélectionné, n'importe quelle valeur de résistance électrique de la plage dynamique, quelle que soit la valeur antérieure de résistance du matériau, constituant ainsi une monocellule capable de stockage multibit. L'élément mémoire (30) comporte également une paire de contacts (6, 8) comportant, d'une part, une couche mince (34, 38), de préférence de carbonitrure de titane ou de siliconitrure de titane, disposée contre le matériau mémoire (36) et servant de barrière de diffusion pour empêcher la pénétration des matériaux étrangers dans le matériau mémoire (36), et d'autre part une couche mince (32, 40), de préférence d'un alliage Ti-W, disposée à distance du matériau mémoire et servant de barrière à l'électromigration et la diffusion de l'aluminium et assurant le contact ohmique au niveau de l'interface aluminium.
Klersy Patrick J.
Ovshinsky Stanford R.
Strand David A.
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1673033