H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 1/30 (2006.01) H01J 1/316 (2006.01) H01J 3/02 (2006.01) H01J 29/04 (2006.01) H01J 29/48 (2006.01) H01J 31/00 (2006.01) H01J 31/12 (2006.01)
Patent
CA 2080092
An electron-emitting device having an electron-emitting region between electrodes on a substrate where the electron-emitting region contains fine particles dispersed therein at an areal occupation ratio of the fine particles ranging from 20 % to 75 % of the electron-emitting region is disclosed. The other electron-emitting device where the electron-emitting region contains fine particles being arranged at gaps of from 5 .ANG. to 100 .ANG. and having average particle diameter of from 5 .ANG. to 1000 .ANG. is also disclosed. Electron beam-generating apparatus and image-forming apparatus comprise one of the electron-emitting regions and a modulation means for modulating the electron beams emitted from the electron-emitting devices in accordance with information signals.
L'invention est un dispositif émetteur d'électrons comportant, entre les électrodes d'un substrat, une région émettrice d'électrons contenant de fines particules en dispersion dans un rapport d'occupation spatiale allant de 20 à 75 % de cette région émettrice d'électrons. Un autre dispositif émetteur d'électrons dans lequel la région émettrice d'électrons contient de fines particules à intervalles allant de 5 à 100 Ao, ces particules ayant un diamètre moyen allant de 5 à 1 000 Ao, est également divulgué. Un dispositif générateur de faisceaux électroniques et un appareil d'imagerie utilisant l'une des régions émettrices d'électrons ci-dessus et un dispositif de modulation utilisé pour moduler, à l'aide de signaux d'information, les faisceaux électroniques produits par les dispositifs émetteurs d'électrons sont également divulgués.
Banno Yoshikazu
Nakamura Naoto
Noma Takashi
Nomura Ichiro
Suzuki Hidetoshi
Canon Kabushiki Kaisha
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2041054