H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) C30B 25/04 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01)
Patent
CA 2331893
A sidewall (105) of an underlying gallium nitride layer (106) is laterally grown into a trench (107) in the underlying gallium nitride layer, to thereby form a lateral gallium nitride semiconductor layer ( 108a). Microelectronic devices may then be formed in the lateral gallium nitride layer. Dislocation defects do not significantly propagate laterally from the sidewall into the trench in the underlying gallium nitride layer, so that the lateral gallium nitride semiconductor layer is relatively defect free. Moreover, the sidewall growth may be accomplished without the need to mask portions of the underlying gallium nitride layer during growth of the lateral gallium nitride layer. The defect density of the lateral gallium nitride semiconductor layer may be further decreased by growing a second gallium nitride semiconductor layer from the lateral gallium nitride layer.
L'invention concerne une paroi (105) latérale d'une couche (106) de nitrure de gallium sous-jacente, formée par tirage latéral dans une tranchée (107) située dans la couche de nitrure de gallium sous-jacente pour former ainsi une couche (108a) semi-conductrice latérale de nitrure de gallium. Des dispositifs micro-électroniques peuvent ensuite être formés dans la couche de nitrure de gallium latérale. Des effets de dislocation ne se propagent pas de manière importante latéralement à partir de la paroi latérale à l'intérieur de la tranchée dans la couche de nitrure de gallium sous-jacente, de sorte que la couche semi-conductrice latérale de nitrure de gallium est relativement exempte de défauts. De plus, on peut mettre en oeuvre le tirage de la paroi latérale sans devoir masquer des parties de la couche de nitrure de gallium sous-jacent au cours de la formation par tirage de la couche de nitrure de gallium latérale. Le taux de défauts de la couche semi-conductrice latérale de nitrure de gallium peut être réduit davantage par la formation par tirage d'une deuxième couche semi-conductrice de nitrure de gallium à partir de la couche de nitrure de gallium latérale.
Davis Robert F.
Gehrke Thomas
Linthicum Kevin J.
Smith Scott A.
Thomson Darren B.
North Carolina State University
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1956625