Fabrication of single or multiple gate field plates

Details Fabrication of single or multiple gate field plates Fabrication of single or multiple gate field plates

H - Electricity

01

L

H01L 21/338 (2006.01) H01L 23/58 (2006.01) H01L 27/095 (2006.01) H01L 31/072 (2006.01)

Patent

CA 2538077

A process for fabricating single or multiple gate field plates using consecutive steps of dielectric material deposition/growth, dielectric material etch and metal evaporation on the surface of a field effect transistors. This fabrication process permits a tight control on the field plate operation since dielectric material deposition/growth is typically a well controllable process. Moreover, the dielectric material deposited on the device surface does not need to be removed from the device intrinsic regions: this essentially enables the realization of field-plated devices without the need of low-damage dielectric material dry/wet etches. Using multiple gate field plates also reduces gate resistance by multiple connections, thus improving performances of large periphery and/or sub-micron gate devices.

La présente invention concerne un processus de fabrication de plaque multiple ou unique à effet de champ grille constitué d'étapes consécutive de dépôt/croissance de matériau diélectrique, de gravures de matériau diélectrique et d'évaporation de métal sur la surface de transistors à effet de champ. Ce processus de fabrication permet une commande étroite du fonctionnement de plaques à effet champ car le dépôt/la croissance du matériau diélectrique est habituellement un processus commandable par puits. Par ailleurs, le matériau diélectrique déposé sur la surface du dispositif n'a pas besoin d'être retiré des régions intrinsèques de dispositif : ce qui permet la réalisation de dispositif de plaque à effet de champ sans recours à des gravures à sec/humide de matériau diélectrique à dégradation faible. L'utilisation de plaques à effet de champ grille multiples réduit aussi la résistance de grille par des connexions multiples, ce qui améliore les résultats de dispositif grille de large périphérie et/ou sous micronique.

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