H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 37/34 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01)
Patent
CA 2459343
An electric field is provided in a first direction between an anode and a target having a flat disposition. A magnetic field is provided such that the magnetic flux lines are in a second direction substantially perpendicualr to the first direction. The magnet structure may be formed from permanent magnets extending radially in a horizontal direction, like the spokes of a wheel, and from magnetizable pole pieces extending vertically from the opposite ends of the spokes. The permanent magnets and the pole pieces define a well. The target is disposed in the well so that its flat disposition is in the same direction as the magnetic flux lines. Molecules of an inert gas flow through the well. Electrons in the well move in a third direction substantially perpendicular to the first and second directions. The electrons ionize molecules of the inert gas. The ions are attracted to the target and sputter atoms from the surface of the target. The sputtered atoms become deposited on a substrate. Reflectors in the well near the radially outer walls of the magnet structures, and also in one embodiment near the radially inner walls of the magnet structures, prevent the electrons from striking the permanent magnets. The reflectors and the anode are cooled by a fluid (e.g. water). The resultant magnetron sputters as much as 65% of the material from the target on the substrate in contrast to a sputtering of approximately 35% of material from the targets on substrates in the prior art.
Selon cette invention, un champ électrique est produit dans une première direction entre une anode et une cible présentant une disposition plate. Un champ magnétique est produit de sorte que les lignes de flux magnétique soient dans une deuxième direction sensiblement perpendiculaire à la première direction. La structure d'aimants peut être formée d'aimants permanents s'étendant radialement dans une direction horizontale, comme les rayons d'une roue, et de pièces polaires pouvant être magnétisées s'étendant verticalement à partir des extrémités opposées des rayons. Les aimants permanents et les pièces polaires définissent un puits. La cible est placée dans le puits de façon que sa disposition plate soit dans la même direction que les lignes de flux magnétique. Des molécules d'un gaz inerte circulent à travers le puits. Des électrons dans le puits se déplacent dans une troisième direction sensiblement perpendiculaire aux première et deuxième directions. Les électrons ionisent des molécules du gaz inerte. Les ions sont attirés vers la cible et pulvérisent des atomes à partir de la surface de la cible. Les atomes pulvérisés se déposent sur un substrat. Des réflecteurs situés dans le puits près des parois radialement extérieures des structures d'aimants, et également dans un autre mode de réalisation situés près des parois radialement intérieures des structures d'aimants, empêchent que les électrons ne frappent les aimants permanents. Les réflecteurs et l'anode sont refroidis par un fluide (par ex. de l'eau). Le magnétron ainsi obtenu pulvérise jusqu'à 65 % du matériel à partir de la cible sur le substrat, alors que dans l'art antérieur, les magnétrons pulvérisaient environ 35 % du matériel à partir des cibles sur des substrats.
Smart & Biggar
Sputtered Films Inc.
Tegal Corporation
LandOfFree
Flat magnetron sputter apparatus does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Flat magnetron sputter apparatus, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Flat magnetron sputter apparatus will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1390031