C - Chemistry – Metallurgy – 03 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
03
C
117/74
C03C 17/245 (2006.01) C03C 17/02 (2006.01) H01K 1/32 (2006.01) H01K 3/00 (2006.01)
Patent
CA 1181295
ABREGE DESCRIPTIF La présente invention concerne l'opalisation par voie gazeuse. Selon le procédé le film de silice est formé par oxydation par un gaz sec contenant de l'oxygène, tel l'oxygène ou de l'oxygène dilué dans un gaz inerte, à l'exception de l'azote, à travers un arc électrique alimenté par une tension alternative entre 5.000 et 10.000 volts d'un composé chloré du silicium, entraîné par le gaz sec contenant de l'oxygène dont le débit est tel qu'il ne forme pas de silice au niveau des électrodes de l'arc. Le procédé s'applique à l'opalisation des lampes à incandescence et à décharge de différents formats y compris les tubes et aux globes des appareils d'éclairage.
401478
Barbier Jean-Paul
Lerouyer Gilbert
L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Proced Es Geo
Swabey Ogilvy Renault
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