Germanium silicon oxynitride high index films for planar...

C - Chemistry – Metallurgy – 03 – C

Patent

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Details

C03C 3/04 (2006.01) C01B 21/082 (2006.01) C03B 19/14 (2006.01) C03B 32/00 (2006.01) C03C 3/11 (2006.01)

Patent

CA 2391202

A composition represented by the formula Si1-xGexO2(1-y)N1.33y, wherein x is from about 0.05 to about 0.6 and y is from about 0.14 to about 0.74 exhibits properties highly suited for use in fabricating waveguides for liquid crystal based optical devices. In particular, the compositions have an index of refraction of from about 1.6 to about 1.8 for light at a wavelength of 1550 nm, and/or a coefficient of thermal expansion of from about 2.5 x 10-6~C-1 to about 5.0 x 10-6~C-1. The compositions also have inherently low hydrogen content, and a high hydrogen permeability which allows better hydrogen removal by thermal annealing to provide a material which exhibits low optical losses and better etching properties than alternative materials.

L'invention concerne une composition représentée par la formule Si¿1-x?Ge¿x?O¿2(1-y)?N¿1.33y?, dans laquelle x vaut entre environ 0,05 et environ 0,6 et y vaut entre environ 0,14 et environ 0,74. Cette composition présente des propriétés qui conviennent particulièrement à la fabrication de guides d'ondes pour des dispositifs optiques à cristaux liquides. D'une manière spécifique, ces compositions présentent un indice de réfraction compris entre environ 1,6 et environ 1,8 pour de la lumière à une longueur d'ondes de 1550 nm et/ou un coefficient d'expansion thermique compris entre environ 2,5 x 10?-6¿·C?-1¿ et environ 5,0 x 10?-6¿·C?-1¿. Ces compositions présentent également un faible taux d'hydrogène inhérent et une forte perméabilité à l'hydrogène, ce qui permet d'obtenir une meilleure élimination de l'hydrogène par recuit thermique afin de produire un matériau qui présente peu de pertes optiques et de meilleures propriétés d'attaque par rapport à d'autres matériaux.

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