H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01) H01L 21/8252 (2006.01) H01L 23/36 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01) H01L 23/14 (2006.01) H01L 23/367 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01)
Patent
CA 2511005
A flip-chip integrated circuit and method for fabricating the integrated circuit are disclosed. A method according to the invention comprises forming a plurality of active semiconductor devices on a wafer and separating the active semiconductor devices. Passive components and interconnections are formed on a surface of a circuit substrate and at least one conductive via is formed through the circuit substrate. At least one of the active semiconductor devices is flip-chip mounted on the circuit substrate with at least one of the bonding pads in electrical contact with one of the conductive via. A flip-chip integrated circuit according to the present invention comprises a circuit substrate having passive components and interconnections on one surface and can have a conductive via through it. An active semiconductor device is flip- chip mounted on the circuit substrate, one of the at least one via is in contact with one of the at least one the device~s terminal. The present invention is particularly applicable to Group III nitride based active semiconductor devices grown on SiC substrates. The passive components and interconnects can then be formed on a lower cost, higher diameter wafer made of GaAs or Si. After separation, the Group III devices can be flip-chip mounted on the GaAs or Si substrate.
L'invention concerne un circuit intégré à puces à protubérances ainsi qu'un procédé permettant de fabriquer un tel circuit. Un procédé décrit dans cette invention consiste à former plusieurs dispositifs semi-conducteurs actifs sur une tranche, puis à les séparer. Des composants passifs et des interconnexions sont formés sur une surface d'un substrat de circuit et au moins un trous de raccordement conducteur est ménagé à travers le substrat de circuit. Au moins l'un des dispositifs semi-conducteurs actifs est connecté par puces à protubérances sur le substrat de circuit, au moins l'un des plots de connexion étant en contact électrique avec l'un des trous de raccordement. Un circuit intégré à puces à protubérances décrit dans cette invention comprend un substrat de circuit pourvu de composants passifs et d'interconnexions sur une surface, et il peut présenter un trou de raccordement conducteur. Un dispositif semi-conducteur actif est monté par puces à protubérances sur le substrat de circuit, l'un des trous de raccordement est en contact avec l'un des terminaux du dispositif. Le circuit intégré décrit dans cette invention s'applique tout particulièrement aux dispositifs semi-conducteurs actifs à base de nitrure du groupe III élaborés sur des substrats SiC. Les composants passifs et les interconnexions peuvent alors être formés sur une tranche moins chère et de diamètre supérieur constituée de GaAs ou de Si. Après séparation, les dispositifs du groupe III peuvent être montés par puces à protubérances sur le substrat GaAs ou Si.
Mishra Umesh K.
Parikh Primit
Wu Yifeng
Cree Inc.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1804767