H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01)
Patent
CA 2447058
A group III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) (10) is disclosed that provides improved high frequency performance. One embodiment of the HEMT (10) comprises a GaN buffer layer (26), with an AlyGa1-yN (y=1 or y 1) layer (28) on the Gan buffer layer (26). An AlxGa1-xN (0<=x<=0.5) barrier layer (30) is on the AlyGa1-yN layer (28), opposite the GaN buffer layer (26), the AlyGa1-yN layer (28) having a higher Al concentration than that of the AlxGa1-xN barrirer layer (30). A preferred AlyGa1-yN layer (28) has y=1 or y.congruent.1 and a preferred AlxGa1-xN barrier layer (30) has 0<=0.5. A 2DEG (38) forms at the interface between the GaN buffer layer (26) and the AlyGa1- yN layer (28). Respective source, drain and gate contacts (32, 34, 36) are formed on the AlxGa1-xN barrier layer (30). The HEMT (10) can also include a substrate (22) adjacent to the buffer layer (26), opposite the AlyGa1-yN layer (28) and a nucleation layer (24) can be included between the GaN buffer layer (26) and the substrate (22).
L'invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) à base de nitrures d'éléments du groupe III (10) fournissant des performances améliorées à très hautes fréquences. Un mode de réalisation de ce transistor (10) comprend une couche tampon de GaN (26) recouverte par une couche de Al¿y?Ga¿1-y?N (y=1 ou y.congruent.1) (28). Une couche de blocage de Al¿x?Ga¿1-x?N (0<=x<=0,5) (30) est située sur la couche de Al¿y?Ga¿1-y?N (28), symétriquement par rapport à la couche tampon de GaN (26), la couche de Al¿y?Ga¿1-y?N (28) ayant une concentration en Al supérieure à celle de la couche de blocage de Al¿x?Ga¿1-x?N (30). Dans une couche de Al¿y?Ga¿1-y?N (28) préférée, y=1 ou y.congruent.1 et dans une couche de blocage de Al¿x?Ga¿1-x?N (30) préférée, 0<=x<=0,5. Un gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) (38) se forme dans l'interface située entre la couche tampon de GaN (26) et la couche de Al¿y?Ga¿1-y?N (28). Les contacts de source, de drain et de grille respectifs (32, 34, 36) sont formés sur la couche de blocage de Al¿x?Ga¿1-x?N (30). Le transistor (10) peut également comprendre un substrat (22) situé à proximité de la couche tampon (26), symétriquement par rapport à la couche de Al¿y?Ga¿1-y?N (28), et une couche de nucléation (24) située entre la couche tampon de GaN (26) et le substrat (22).
Chavarkar Prashant
Keller Stacia
Mishra Umesh
Smorchkova Ioulia P.
Walukiewicz Wladyslaw
Cree Inc.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
The Regents Of The University Of California
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2037716