Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers

Details Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 25/02 (2006.01) C23C 16/32 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01)

Patent

CA 2312790

An improved chemical vapor deposition method is disclosed that increases the uniformity of silicon carbide epitaxial layers and that is particularly useful for obtaining thicker epitaxial layers. The method comprises heating a reactor to a temperature at which silicon carbide source gases will form an epitaxial layer of silicon carbide on a substrate in the reactor; and then directing a flow of source and carrier gases through the heated reactor to form an epitaxial layer of silicon carbide on the substrate with the carrier gases comprising a blend of hydrogen and a second gas in which the second gas has a thermal conductivity that is less than the thermal conductivity of hydrogen so that the source gases deplete less as they pass through the reactor than they would if hydrogen is used as the sole carrier gas.

L'invention concerne une méthode améliorée de dépôt chimique en phase vapeur, qui augmente l'uniformité de couches épitaxiales de carbure de silicium et s'avère particulièrement efficace pour donner des couches épitaxiales plus épaisses. La méthode consiste à chauffer un réacteur à une température à laquelle les gaz source de carbure de silicium forment une couche épitaxiale de carbure de silicium sur un substrat disposé dans le réacteur. La méthode consiste ensuite à faire circuler un flux de gaz source et de gaz vecteurs à travers le réacteur chauffé pour former sur ledit substrat une couche épitaxiale de carbure de silicium. Les gaz vecteurs contiennent un mélange d'hydrogène et un deuxième gaz, lequel deuxième gaz présente une conductivité thermique inférieur à celle de l'hydrogène, ce qui fait que les gaz source s'épuisent moins lorsqu'ils passent à travers le réacteur qu'il n'est le cas lorsque l'hydrogène est utilisé comme unique gaz vecteur.

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