G - Physics – 01 – R
Patent
G - Physics
01
R
G01R 33/07 (2006.01) G01R 33/06 (2006.01) G11B 5/37 (2006.01)
Patent
CA 2119331
A Hall-effect device for detecting a magnetic flux intensity has a pair of input terminals connected respectively to a constant-voltage regulated power supply and an FET. The FET has a gate connected to the output terminal of an operational amplifier. One of the input terminals of the operational amplifier is connected to the junction between a variable resistor and a temperature-dependent variable resistor which jointly serve as a voltage divider. The temperature-dependent variable resistor has a temperature characteristic of resistance which is opposite to the temperature characteristic of sensitivity of the Hall-effect device. When the ambient temperature varies, the sensitivity of the Hall-effect device also varies, and so does the resistance of the temperature-dependent variable resistor. The divided voltage applied from the voltage divider to the operational amplifier drops, lowering the voltage applied to the gate of the FET. The internal resistance of the FET also decreases to lower a drive current flowing through the Hall-effect device for thereby compensating a temperature-dependent sensitivity change of the Hall-effect device. Therefore, the sensitivity of the Hall-effect device remains constant.
L'invention est un dispositif à effet Hall servant à mesurer l'intensité des champs magnétiques qui comprend une paire de bornes d'entrée connectées respectivement à une alimentation régulée à tension constante et à un FET. La grille de ce FET est connectée à la borne de sortie d'un amplificateur opérationnel. L'une des bornes d'entrée de cet amplificateur est connectée à la jonction entre une résistance variable et une résistance variable thermosensible qui conjointement servent de diviseur de tension. La caractéristique de résistance en fonction de la température de la résistance variable thermosensible varie en fonction inverse de la caractéristique de sensibilité en fonction de la température du dispositif à effet Hall. Quand la température ambiante varie, la sensibilité du dispositif à effet Hall varie également, ainsi que la valeur de la résistance variable thermosensible. La tension appliquée à l'amplificateur opérationnel par le diviseur de tension baisse, ce qui abaisse la tension appliquée à la grille du FET. La résistance interne du FET diminue, ce qui réduit le courant d'attaque qui traverse le dispositif à effet Hall et compense la variation de sensibilité avec la température de ce dernier. La sensibilité du dispositif à effet Hall reste donc constante.
Hatsumi Masaaki
Seki Kazuhide
Tanabe Toru
Marks & Clerk
Stanley Electric Co. Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1357842