High electron mobility transistor, field-effect transistor,...

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H - Electricity

01

L

H01L 21/338 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)

Patent

CA 2570558

Disclosed is a high-electron-mobility transistor having a high-purity channel layer and a high-resistance buffer layer. Specifically disclosed is a high- electron-mobility transistor (11) comprising a supporting base (13) composed of a gallium nitride, a buffer layer (15) composed of a first gallium nitride semiconductor, a channel layer (17) composed of a second gallium nitride semiconductor, a semiconductor layer (19) composed of a third gallium nitride semiconductor, and an electrode structure (a gate electrode (21), a source electrode (23) and a drain electrode (25)) for the transistor (11). The band gap of the third gallium nitride semiconductor is larger than that of the second gallium nitride semiconductor. The carbon concentration Nc1 in the first gallium nitride semiconductor is not less than 4 ~ 1017 cm-3, and the carbon concentration Nc2 in the second gallium nitride semiconductor is less than 4 ~ 1016 cm-3.

L'invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons doté d'une couche de canal de grande pureté et d'une couche tampon à forte résistance. Plus spécifiquement, l'invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (11) comprenant une base de support (13) composée de nitrure de gallium, une couche tampon (15) composée d'un premier semi-conducteur à nitrure de gallium, une couche de canal (17) composée d'un deuxième semi-conducteur à nitrure de gallium, une couche semiconductrice (19) composée d'un troisième semi-conducteur à nitrure de gallium et une structure d'électrodes (une électrode grille (21), une électrode source (23) et une électrode de drain (25)) pour le transistor (11). La largeur de bande interdite du troisième semi-conducteur est supérieure à celle du deuxième. La concentration en carbone N<SUB>c1</SUB> du premier semi-conducteur n'est pas inférieure à 4 × 10<SUP>17 </SUP>cm<SUP>-3</SUP> et la concentration en carbone N<SUB>c2</SUB> du second semi-conducteur est inférieure à 4 × 10<SUP>16</SUP> cm<SUP>-3</SUP>.

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