High performance integrated circuit chip package and method...

Details High performance integrated circuit chip package and method... High performance integrated circuit chip package and method...

H - Electricity

01

L

H01L 23/34 (2006.01) H01L 23/373 (2006.01) H01L 23/473 (2006.01) H01L 23/538 (2006.01) H01L 25/065 (2006.01)

Patent

CA 2002213

A high performance integrated circuit chip package includes a support substrate having conductors extending from one face to the opposite face thereof and a multilayer wiring substrate on the opposite face of the support substrate for connecting chips mounted thereon to one another and to the conductors. A heat sink includes microchannels at one face thereof, with thermally conductive cushions connecting the one face of the heat sink with the exposed back sides of the chips, to provide a high density chip package with high heat dissipation. The multilayer wiring substrate may be formed by a self-aligned thin film wiring method, with a self-aligned lift off method being employed to form internal wiring planes. The support substrate and heat sink may be formed of blocks of material having thermal expansion matching silicon. The cushions are a low melting point solder, preferably pure indium, and are sufficiently thick to absorb thermal stresses, but sufficiently thin to efficiently conduct heat from the chips to the heat sink.

Cette invention concerne un boîtier de microcircuit haute performance qui comprend un substrat support comportant des conducteurs qui le traversent d'une face à l'autre et un substrat multicouche de câblage du côté opposé au substrat support pour l'interconnexion de puces y montées et leur connexion aux conducteurs. Un dissipateur de chaleur comprend des microcanaux sur une face et des coussins thermoconducteurs reliant ladite face à l'arrière exposé des puces pour constituer un boîtier à haute densité de puces à grande capacité de dissipation de chaleur. Le substrat multicouche de câblage peut être réalisé selon la méthode de câblage en couche mince à auto-alignement, les plans de câblage internes étant réalisés selon une méthode de dégagement à auto-alignement. Le substrat support et le dissipateur de chaleur peuvent prendre la forme de blocs en matériau affichant un coefficient d'expansion thermique égal à celui du silicium. Les coussins sont réalisés en métal à bas point de fusion, de préférence de l'indium pur, et sont suffisamment épaisses pour absorber les contraintes thermiques, mais suffisamment minces pour bien évacuer la chaleur dégagée par les puces vers le dissipateur de chaleur.

Affiliated with

Also associated with

Rating

High performance integrated circuit chip package and method... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with High performance integrated circuit chip package and method..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and High performance integrated circuit chip package and method... will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1705530