G - Physics – 01 – N
Patent
G - Physics
01
N
G01N 27/12 (2006.01)
Patent
CA 2659166
A hydrogen gas concentration sensor which comprises a base and hydrogen-detecting films which are adjacent to one another and formed on the base. These hydrogen-detecting films each comprises a thin film layer and a catalyst layer formed on the surface of the thin film layer. Upon contact with hydrogen gas, each catalyst layer reversibly hydrogenates the thin film based on photocatalysis to reversibly change the electrical resistance thereof. These thin film layers differ in resistance change sensitivity to hydrogen gas concentration changes and in hydrogen gas concentration determination range. Thus, the hydrogen gas concentration sensor determines the concentration of hydrogen gas with a thin film layer having a higher sensitivity when the hydrogen gas concentration is low and with a thin film layer having a wider determination range when the hydrogen gas concentration is high.
L'invention concerne un capteur de concentration d'hydrogène gazeux comporte une base et des films de détection d'hydrogène placés à proximité les uns aux autres et formés sur la base. Ces films de détection d'hydrogène comprennent chacun une couche en film mince et une couche de catalyseur formée sur la surface de la couche en film mince. Lors du contact avec l'hydrogène gazeux, chaque couche de catalyseur hydrogène de façon réversible le film mince à partir d'une photocatalyse pour changer de façon réversible la résistance électrique du film mince. Ces couches en film mince diffèrent en sensibilité au changement à la résistance à des changements de concentration d'hydrogène gazeux et en plage de détermination de concentration d'hydrogène gazeux. Ainsi, le capteur de concentration d'hydrogène gazeux détermine la concentration en hydrogène gazeux avec une couche en film mince qui a une sensibilité plus élevée lorsque la concentration d'hydrogène gazeux est faible et avec une couche en film mince présentant une plage de détermination plus large lorsque la concentration en hydrogène gazeux est élevée.
Kanai Tomomi
Uchiyama Naoki
Kabushiki Kaisha Atsumitec
Robic
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1426831