Lateral junction field-effect transistor

Details Lateral junction field-effect transistor Lateral junction field-effect transistor

H - Electricity

01

L

H01L 21/337 (2006.01) H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/808 (2006.01)

Patent

CA 2673227

On p--type epitaxial layer (3), there are sequentially superimposed n-type epitaxial layer (4) and gate region (5). Gate electrode (12a) is electrically connected to the gate region (5), and source electrode (12b) and drain electrode (12c) are disposed with a spacing therebetween so as to interpose the gate electrode (12a). Control electrode (12d) is for application, to the p--type epitaxial layer (3), of a voltage such that in off operation, the p--type epitaxial layer (3) and the n-type epitaxial layer (4) fall in reverse bias states.

Sur une couche épitaxiale de type p (3), une couche épitaxiale (4) de type n et une région de grille (5) sont superposées de manière séquentielle. Une électrode de grille (12a) est électriquement connectée à la région de grille (5), et une électrode de source (12b) et une électrode de drain (12c) sont disposées avec un espacement entre celles-ci de façon à interposer l'électrode de grille (12a). Une électrode de commande (12d) est destinée à appliquer, à la couche épitaxiale (3) de type p, une tension telle que, hors fonctionnement, la couche épitaxiale (3) de type p et la couche épitaxiale (4) de type n tombent dans des états de polarisation inverses.

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