H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2492249
Semiconductor light emitting devices, such as light emitting diodes, include a substrate, an epitaxial region on the substrate that includes a light emitting region such as a light emitting diode region, and a multilayer conductive stack including a reflector layer, on the epitaxial region. A barrier layer is provided on the reflector layer and extending on a sidewall of the reflector layer. The multilayer conductive stack can also include an ohmic layer between the reflector and the epitaxial region. The barrier layer further extends on a sidewall of the ohmic layer. The barrier layer can also extend onto the epitaxial region outside the multilayer conductive stack. The barrier layer can be fabricated as a series of alternating first and second sublayers.
L'invention concerne des dispositifs électroluminescents à semiconducteur, tels que des diodes électroluminescentes, comprenant un substrat, une zone épitaxiale placée sur le substrat qui comprend une zone électroluminescente telle qu'une zone à diode électroluminescente, et un empilement conducteur multicouche comprenant une couche réfléchissante, placée sur la zone épitaxiale. Une couche barrière est disposée sur la couche réfléchissante et s'étend sur une paroi latérale de la couche réfléchissante. Un empilement conducteur multicouche peut également comprendre une couche ohmique placée entre la zone réfléchissante et la zone épitaxiale. La couche barrière s'étend, en outre, sur une paroi latérale de la couche ohmique. La couche barrière peut également s'étendre sur la zone épitaxiale hors de l'empilement conducteur multicouche. La couche barrière peut être fabriquée à partir d'une série de premières et secondes sous-couches alternées.
Allen Scott T.
Andrews Peter S.
Bharathan Jayesh
Edmond John A.
Slater David B. Jr.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1432125