H - Electricity – 04 – N
Patent
H - Electricity
04
N
H04N 3/15 (2006.01) G11C 27/02 (2006.01) H04N 5/335 (2006.01)
Patent
CA 2328575
La présente invention est un circuit de lecture de charges injectées à son entrée (E) comportant un transistor MOS de lecture (M1) dont le type conditionne la polarité des charges que le circuit de lecture est capable de lire sans se bloquer, et un condensateur d'intégration (C) monté entre une première électrode de la paire drain-source du transistor MOS de lecture (M1) et un potentiel de référence (VDR). L'entrée (E) du circuit se trouve au niveau de la seconde électrode de la paire drain--source du transistor MOS de lecture (M1). Les charges injectées doivent traverser le transistor MOS de lecture (M1) pour être intégrées par le condensateur (C). Le transistor MOS de lecture (M1) est commandé par une tension de contrôle (V1) variant de manière sensiblement inversement proportionnelle par rapport à la tension (Ve) à l'entrée. Il comporte des moyens (A2) pour détecter, l'arrivée à l'entrée (E) de charges de polarité opposée à celles qu'il est capable de lire et des moyens (M2) pour imposer à la tension à l'entrée, après une telle détection, une valeur d'équilibre (VDRN) égale ou proche d'une valeur de base (Vb) qu'elle prend entre deux intégrations successives de charges de la polarité désirée, de manière à éviter un blocage prolongé du transistor MOS de lecture (M1) lors de l'arrivée de charges de polarité désirée.
Robic
Trixell
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2064834