C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/34 (2006.01) C23C 8/02 (2006.01) C23C 8/36 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01) C23C 16/36 (2006.01)
Patent
CA 2191458
Using plasma enhanced chemical vapor deposition, various layers (29) can be deposited on semiconductor substrates (28) at low temperatures in the same reactor. When a titanium nitride film is required, a titanium film can be initially deposited using a plasma enhanced chemical vapor deposition wherein the plasma is created within 25 mm of the substrate surface, supplying a uniform plasma across the surface. The deposited film can be subjected to an ammonia anneal, again using a plasma of ammonia created within 25 mm of the substrate (28) surface, followed by the plasma enhanced chemical vapor deposition of titanium nitride by creating a plasma of titanium tetrachloride and ammonia within 25 mm of the substrate surface. This permits deposition film and annealing at relatively low temperatures less than 800° C. When titanium is so deposited over a silicon surface, titanium silicide will form at the juncture which then can be nitrided and coated with titanium or titanium nitride using the plasma enhanced chemical vapor deposition of the present invention. Thus, the present method permits the formation of multiple layers of titanium, titanium nitride, titanium silicide over the surface of the substrate in the same reactor (20).
Il est possible de déposer à basse température et dans un même réacteur plusieurs couches sur un substrat de semi-conducteur. Pour obtenir une couche de nitrure de titane, on dépose d'abord par plasma CVD une pellicule de titane puis l'on crée à 25 mm de la surface un plasma qui se répartit uniformément sur la surface. La pellicule déposée peut ensuite être soumise à un recuit par un plasma d'ammoniac créé à 25 mm de la surface du substrat (28) suivi d'un dépôt par plasma CVD de nitrure de titane obtenu en créant un plasma de tétrachlorure de titane et d'ammoniac à 25 mm de la surface du substrat (28). Cela permet d'effectuer les dépôts et recuits à des températures relativement basses de moins de 800~. Lorsque du titane est ainsi déposé sur une surface de silicium, du siliciure de titane se forme sur la jonction laquelle peut ensuite être nitrurée et recouverte de titane ou de nitrure de titane en utilisant la présente invention. Le procédé objet de l'invention permet ainsi de constituer des couches multiples de titane, de nitrure de titane et de siliciure de titane sur un substrat en utilisant un même réacteur (20).
Foster Robert F.
Hillman Joseph T.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Tokyo Electron Limited
LandOfFree
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