C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/42 (2006.01) C30B 11/12 (2006.01) C30B 27/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
Patent
CA 2452542
Group III-V, II-VI and related monocrystalline compounds are grown with a rigid support of a sealed ampoule, carbon doping and resistivity control, and thermal gradient control in a crystal growth furnace. A support cylinder provides structural support for the combined sealed ampoule crucible assembly, while low-density insulating material inside the support cylinder deters convection and conduction heating. Radiation channels penetrating the low- density material provide pathways for radiation heating into out of the seed well and transition regions of the crystal growth crucible. A hollow core in the insulation material directly beneath the seed well provides cooling in the center of the growing crystal, which enables uniform, level growth of the crystal ingot and a flat crystal-melt interface which results in crystal wafers with uniform electrical properties.
Selon l'invention, on fait croître des composés des groupes III-V, II-VI et des composés monocristallins associés au moyen d'un support rigide pour une ampoule hermétique, au moyen d'un dopage au carbone, d'une régulation de la résistivité, et du gradient de température dans un four à cristallogenèse. Un cylindre de support fournit un support structural pour l'ensemble combinant un creuset et l'ampoule hermétique, alors que les matériaux isolants à faible densité situés à l'intérieur du cylindre de support empêchent la chauffage par convection et par conduction. Des canaux de rayonnement pénétrant dans les matériaux à faible densité créent des passages pour la chaleur de rayonnement à l'intérieur et à l'extérieur des régions de puits de germes cristallins et des régions de transition du creuset à cristallogenèse. Un noyau creux ménagé dans le matériau d'isolation situé directement sous le puits de germes cristallins provoque un refroidissement au centre du cristal en cours de croissance, ce qui permet d'obtenir une croissance homogène, régulière du lingot et une interface plate matière fondue-cristal permettant de produire une tranche de cristal présentant des propriétés électriques homogènes.
Liu Wei Guo
Liu Xiao Gordon
Axt Inc.
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l.,s.r.l./llp
LandOfFree
Method and apparatus for growing semiconductor crystals with... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method and apparatus for growing semiconductor crystals with..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method and apparatus for growing semiconductor crystals with... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1436453