H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2655579
When a semiconductor light emitting device or a semiconductor device is manufactured by growing nitride III-V compound semiconductor layers, which will form a light emitting device structure or a device structure, on a nitride III-V compound semiconductor substrate composed of a first region in form of a crystal having a first average dislocation density and a plurality of second regions having a second average dislocation density higher than the first average dislocation density and periodically aligned in the first region, device regions are defined on the nitride III-V compound semiconductor substrate such that the device regions do not substantially include second regions, emission regions or active regions of devices finally obtained do not include second regions.
La présente invention vise le processus mis en ouvre lorsqu'un semi-conducteur émetteur de lumière ou un dispositif à semi-conducteur est fabriqué par la constitution de couches de semi- conducteurs à composés de nitrure III-V, qui formeront une structure de dispositif émetteur de lumière ou une structure de dispositif tout court, sur un substrat de semi-conducteurs à composés de nitrure III-V. Ce dernier est constitué d'une première région prenant la forme d'un cristal qui présente une première densité de dislocation moyenne et une multitude de secondes régions présentant une seconde densité de dislocation moyenne supérieure à la première densité de dislocation moyenne, alignés de façon périodique dans la première région. Les régions des dispositifs sont définies sur le substrat de semi-conducteurs à composés de nitrure III-V de façon que les régions des dispositifs n'incluent pas substantiellement de secondes régions, et à ce que les régions d'émission ou les régions actives des dispositifs qu'on obtient en fin de compte n'incluent pas de secondes régions.
Asatsuma Tsunenori
Goto Osamu
Motoki Kensaku
Tamamura Koshi
Tojo Tsuyoshi
Gowling Lafleur Henderson Llp
Sony Corporation
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
Method and device for fabricating semiconductor light... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Method and device for fabricating semiconductor light..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Method and device for fabricating semiconductor light... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1512897