H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/283 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 29/40 (2006.01) H01L 29/43 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
Patent
CA 2750282
A method of forming a device includes providing a substrate, forming an interfacial layer on the substrate, depositing a high-k dielectric layer on the interfacial layer, depositing an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer and performing an anneal. A high-k metal gate transistor includes a substrate, an interfacial layer on the substrate, a high-k dielectric layer on the interfacial layer and an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer.
L'invention porte sur un procédé de formation d'un dispositif qui consiste à utiliser un substrat, former une couche interfaciale sur le substrat, déposer une couche diélectrique à constante diélectrique élevée sur la couche interfaciale, déposer une couche d'élimination d'oxygène sur la couche diélectrique à constante diélectrique élevée et effectuer un recuit. L'invention porte également sur un transistor à grille métallique à constante diélectrique élevée qui comprend un substrat, une couche interfaciale sur le substrat, une couche diélectrique à constante diélectrique élevée sur la couche interfaciale et une couche d'élimination d'oxygène sur la couche diélectrique à constante diélectrique élevée.
Bu Huiming
Chudzik Michael P.
He Wei
Jha Rashmi
Kim Young-Hee
International Business Machines Corporation
Wang Peter
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2012557