H - Electricity – 01 – G
Patent
H - Electricity
01
G
H01G 4/33 (2006.01) H01L 29/94 (2006.01)
Patent
CA 2292664
The present invention relates to a method for arrangement of a buried capacitor on a substrate or the like, and a buried capacitor arranged according to the method. In order to diminish the resistive losses in a capacitor and to make it more efficient, in semiconductor circuits, instead of the polycrystalline layer, one or more bodies (14) of metal such as aluminium or tungsten may be used. This has been made possible using a new technique in which a trench filling consisting of conducting material is etched away without removal through etching of the insulating layer (13) in the trench. After the removal through etching of the trench filling, the trench is filled using the metal (14) as above, whereby the insulating layer (13) between the conducting material and the metal body will separate two conducting surfaces, thereby forming the buried capacitor.
L'invention concerne un procédé permettant de disposer un condensateur enterré sur un substrat ou support analogue et un condensateur enterré disposé selon ce procédé. Afin de diminuer les pertes par résistance dans un condensateur et afin de le rendre plus efficace, on peut utiliser dans des circuits à semi-conducteurs un ou plusieurs corps (14) métalliques tels que l'aluminium ou le tungstène à la place de la couche polycristalline. Ceci a pu être réalisé grâce à une nouvelle technique consistant à attaquer le remplissage de la tranchée formé d'un matériau conducteur sans que l'on ait à effectuer une extraction par attaque de la couche isolante (13) se trouvant dans la tranchée. Après avoir enlevé par attaque le remplissage de la tranchée, la tranchée est remplie au moyen du métal (14) précité, la couche isolante (13) située entre le matériau conducteur et le corps métallique sépare ainsi deux surfaces conductrices et l'on obtient un condensateur enterré.
Jonsson Jonas
Larsson Torbjorn
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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