Method for low temperature bonding and bonded structure

Details Method for low temperature bonding and bonded structure Method for low temperature bonding and bonded structure

H - Electricity

01

L

H01L 21/48 (2006.01) B23K 10/02 (2006.01) B32B 7/00 (2006.01) B32B 18/00 (2006.01) C09K 13/00 (2006.01) C23F 1/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/58 (2006.01)

Patent

CA 2399282

A method for bonding at low or room temperature includes steps of surface cleaning and activation by cleaning or etching. The method may also include removing by-products of interface polymerization to prevent a reverse polymerization reaction to allow room temperature chemical bonding of materials such as silicon, silicon nitride and SiO2. The surfaces to be bonded are polished to a high degree of smoothness and planarity (2). VSE may use reactive ion etching or wet etching to slighthly etch the surfaces being bonded (3). The surface roughness and planarity are not degraded and may be enhanced by the VSE process. The etched surfaces may be rinsed in solutions such as ammonium hydroxide or ammonium fluoride to promote the formation of desired bonding species on the surfaces (4).

L'invention concerne un procédé de liaison à basse température ou température ambiante comportant le nettoyage surfacique et l'activation par nettoyage ou gravure. Ledit procédé peut également consister à éliminer des sous-produits de polymérisation d'interface afin d'empêcher une réaction de polymérisation inverse, de manière à réaliser une liaison chimique à température ambiante de matériaux tels que le silicium, le nitrure de silicium et SiO¿2?. Les surfaces devant être liées sont polies à un degré élevé de lissage et de planéité (2). Le processus de gravure très légère peut faire intervenir la gravure ionique réactive ou la gravure humide afin de graver légèrement les surfaces liées (3). La dureté et la planéité surfaciques ne sont pas dégradées, et peuvent être améliorées au moyen du processus de gravure très légère. Les surfaces gravées peuvent être rincées dans des solutions telles que l'hydroxyde d'ammonium ou le fluorure d'ammonium afin de favoriser la formation des espèces de liaison souhaitées sur les surfaces (4).

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