Method in the manufacturing of a semiconductor device

Details Method in the manufacturing of a semiconductor device Method in the manufacturing of a semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) H01L 21/322 (2006.01) H01L 21/328 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01)

Patent

CA 2237887

In a method of selectively etching in the fabrication of a semiconductor device, an amorphous layer (6) of said semiconductor material is deposited on a crystalline substrate (1) of the same semiconductor material. At least one dielectric layer (7) is deposited on the amorphous layer (6) such as to prevent crystallization of the amorphous layer (6). The dielectric layer (7) is preferably deposited with the aid of either a PECVD, SACVD, MBE technique or a spin-on technique. The resultant structure (1) is patterned and the dielectric layer (7) and the amorphous semiconductor layer (6) then etched away within a predetermined region (9). The method may form a sub-stage in the manufacture of a bipolar transistor having a self-registered base-emitter structure.

Dans un procédé d'attaque chimique sélective, lors de la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, on dépose une couche amorphe (6) d'un matériau semi-conducteur sur un substrat cristallin (1) du même matériau semi-conducteur. On dépose au moins une couche diélectrique (7) sur la couche amorphe (6) de manière à empêcher la cristallisation de cette dernière. De préférence, on dépose la couche diélectrique (7) soit à l'aide d'un procédé CVD activé au plasma, d'un procédé CVD sous pression négative, ou d'un procédé épitaxial à faisceaux moléculaires, soit à l'aide d'une technique d'application par centrifugation. On modèle la structure résultante (1) et on élimine, par attaque chimique et dans une région déterminée (9), les couches diélectrique (7) et amorphe (6). Ce procédé peut constituer une sous-étape dans la fabrication d'un transistor bipolaire présentant une structure d'émetteur-base auto-alignée.

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