H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 51/40 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
Patent
CA 2450611
A high temperature thermal annealing process creates a low resistance contact between a metal material and an organic material of an organic semiconductor device, which improves the efficiency of carrier injection. The process forms ohmic contacts and Schottky contacts. Additionally, the process may cause metal ions or atoms to migrate or diffuse into the organic material, cause the organic material to crystallize, or both. The resulting organic semiconductor device has enhanced operating characteristics such as faster speeds of operation. Instead of using heat, the process may use other forms of energy, such as voltage, current, electromagnetic radiation energy for localized heating, infrared energy and ultraviolet energy. An example enhanced organic diode comprising aluminum, carbon C60, and copper is described, as well as example insulated gate field effect transistors.
La présente invention concerne un procédé de recuit thermique à température élevée qui permet de créer un contact à faible résistance entre un matériau métallique et un matériau organique d'un dispositif à semiconducteur organique, améliorant l'efficacité de l'injection des porteurs de charge. Le procédé de l'invention permet de former des contacts ohmiques et des contacts Schottky. En outre, le procédé peut entraîner la migration ou la diffusion d'ions ou d'atomes métalliques dans le matériau organique et/ou entraîner la cristallisation du matériau organique. Le procédé précité permet d'obtenir un dispositif à semiconducteur organique possédant des caractéristiques de fonctionnement améliorées, telles que de plus grandes vitesses de fonctionnement. Le procédé de l'invention peut faire appel, au lieu de la chaleur, à d'autres formes d'énergie telles que la tension, le courant, l'énergie de rayonnement électromagnétique pour un chauffage localisé, l'énergie infrarouge et l'énergie ultraviolette. Un laser est apte à chauffer une région localisée (164) d'un dispositif à semiconducteur organique. Le laser (160) émet un faisceau de rayonnement électromagnétique (162) vers la partie localisée d'un dispositif à semiconducteur organique (10).
Beigel Michael L.
Ma Liping
Yang Yang
Gowling Lafleur Henderson Llp
Precision Dynamics Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1662928