Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide...

Details Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide... Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide...

H - Electricity

01

L

H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01)

Patent

CA 2421003

Methods for fabricating a layer of oxide on a silicon carbide layer are provided by forming the oxide layer by at least one of oxidizing the silicon carbide layer in an N~2O environment or annealing an oxide layer on the silicon carbide layer in an N~2O environment. Preferably, a predetermined temperature profile and a predetermined flow rate profile of N~2O are providing during the oxidation or the anneal. The predetermined temperature profile and/or predetermined flow rate profile may be constant or variable and may include ramps to steady state conditions. The predetermined temperature profile and/or the predetermined flow rate profile are selected so as to reduce interface states of the oxide/silicon carbide interface with energies near the conduction band of SiC.

L'invention concerne un procédé de production d'une couche d'oxyde sur une couche de carbure de silicium. Selon ce procédé, la couche d'oxyde est formée soit par oxydation de la couche de carbure de silicium dans un environnement N2O soit par recuisson d'une couche d'oxyde sur la couche de carbure de silicium dans un environnement N2O. Un profil de température prédéterminé et un profil de débit prédéterminé de N2O sont de préférence définis pendant l'oxydation ou la recuisson. Ce profil de température prédéterminé et/ou ce profil de débit prédéterminé, qui peuvent être constants ou variables, peuvent comprendre des rampes vers des états stationnaires. Lesdits profils sont sélectionnés de manière à réduire des états d'interface de l'interface oxyde/carbure de silicium à des niveaux d'énergie près de la bande de conduction du carbure de silicium.

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