H - Electricity – 01 – G
Patent
H - Electricity
01
G
H01G 4/06 (2006.01) H01L 21/334 (2006.01) H01L 27/108 (2006.01) H01L 29/94 (2006.01)
Patent
CA 2074848
A method is provided for forming electrodes of a trench capacitor for an integrated circuit in which the number of mask levels is reduced. The method is compatible with CMOS and Bipolar CMOS processes. After defining a trench in a substrate by a conventional photoengraving step and anisotropic etching, successive conformal layers of a first dielectric layer, a first conductive layer, and subsequent conformal dielectric layers and conformal conductive layers are deposited to fill the trench. The resulting structure is planarized, preferably by chemical-mechanical polishing to provide fully planarized topography. Each of the conductive layers form an electrode. Coplanar areas of each of the conductive layers are exposed within the trench for formation of contacts to the electrodes. Advantageously, the trench has a wide portion and a narrow portion of smaller lateral dimension. The narrow portion of the trench is filled by the first conductive layer and after planarization provides an area of sufficiently large dimension for forming a contact to the first electrode. Contact to the second electrode is made in the first portion of the trench. Thus multiple electrodes for a trench capacitor are defined by a maskless process.
Présentation d'une méthode pour former des électrodes d'un condensateur à tranchée destiné à un circuit intégré dont le nombre de niveaux de masquage est réduit. La méthode est compatible avec les procédés CMOS et CMOS bipolaire. Après la définition d'une tranchée dans un substrat par une étape de photogravure classique et attaque anisotrope, des couches conformes successives, consistant en une première couche diélectrique, une première couche conductrice, des couches conformes diélectriques et des couches conformes conductrices subséquentes, sont déposées pour remplir la tranchée. La structure résultante est planarisée, de préférence par polissage chimique-mécanique afin de donner une topographie entièrement planarisée. Chacune des couches conductrices forme une électrode. Des zones coplanaires de chacune des couches conductrices sont exposées à l'intérieur de la tranchée pour la formation de contacts avec les électrodes. La tranchée a l'avantage de présenter une partie large et une partie étroite de dimension latérale plus faible. La partie étroite de la tranchée est remplie par la première couche conductrice et, après la planarisation, elle offre une zone de dimension assez grande pour la formation d'un contact avec la première électrode. Le contact avec la deuxième électrode est réalisé dans la première partie de la tranchée. Ainsi, plusieurs électrodes pour un condensateur à tranchée sont définies par un procédé sans masque.
Boyd John M.
Ellul Joseph P.
Rowlandson Michael B.
de Wilton Angela C.
Nortel Networks Limited
LandOfFree
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