Method of forming single-crystalline thin film

Details Method of forming single-crystalline thin film Method of forming single-crystalline thin film

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 25/04 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)

Patent

CA 2101285

Disclosed herein is a method of forming a single-crystalline thin film having excellent crystallinity on a base material without depending on the material for and crystallinity of the base material. In this method, a base material is provided thereon with a mask which can prevent chemical species contained in a vapor phase from adhering to the base material. The base material is continuously moved along arrow A, to deliver a portion covered with the mask into the vapor phase for crystal growth. Thus, a thin film is successively deposited on the portion of the base material, which is delivered from under the mask, from the vapor phase. A crystal growth end is formed on a boundary region between a portion of the base material which is covered with the mask and that which is exposed to the vapor phase, so that a crystal having the same orientation as the growth end is grown on a portion of the base material newly exposed by the movement.

L'invention divulgue une méthode de formation d'une pellicule mince monocristalline présentant une excellente cristallinité sur un matériau de base sans dépendre du matériau de base ni de sa cristallinité. Dans cette méthode, un matériau de base est prévu et comporte un masque qui peut empêcher les espèces chimiques contenues dans une phase vapeur de coller au matériau en question. Ce dernier est continuellement déplacé le long de la flèche A afin de livrer une partie recouverte du masque à la phase vapeur pour la cristallogénèse. Ainsi, une mince pellicule est déposée successivement sur la partie du matériau de base, qui est libérée d'en dessous du masque, au cours de la phase vapeur. Une extrémité de la cristallogénèse se trouve à la frontière entre une partie du matériau de base recouverte du masque et une partie découverte à la phase vapeur. Par conséquent, un cristal, présentant la même orientation que l'extrémité de la croissance, est formé sur une partie du matériau de base nouvellement exposée par le déplacement.

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