Method of optical near field microlithography and...

H - Electricity – 01 – L

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H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) H01J 37/304 (2006.01) H01L 21/469 (2006.01)

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CA 2066586

2066586 9104513 PCTABS00104 La présente invention concerne un procédé de microlithographie directe à balayage, d'un substrat (2), du type d'une plaquette de silicium, par un faisceau optique et/ou électronique, en vue de réaliser la gravure photomécanique ou électromécanique de structures submicrométriques à la surface dudit substrat, caractérisé en ce que la source du faisceau optique et/ou électronique servant à la gravure est maintenue à une distance appropriée du substrat par le moyen d'un capteur de proximité à guide d'ondes, tel qu'un capteur de proximité (6) à fibre optique, apte à mesurer la variation rapide, en fonction de ladite distance, de l'intensité d'une onde électromagnétique réfléchie par le substrat dans la zone de champ proche située à l'extrémité (8) dudit capteur. L'invention concerne également des dispositifs de microlithographie mettant en oeuvre ce procédé.

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