H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
Patent
CA 2567066
Transistor fabrication includes forming a nitride-based channel layer on a substrate, forming a barrier layer on the nitride-based channel layer, forming a contact recess in the barrier layer to expose a contact region of the nitride-based channel layer, forming a contact layer on the exposed contact region of the nitride-based channel layer, for example, using a low temperature deposition process, forming an ohmic contact on the contact layer and forming a gate contact disposed on the barrier layer adjacent the ohmic contact. A high electron mobility transistor (HEMT) and methods of fabricating a HEMT are also provided. The HEMT includes a nitride-based channel layer on a substrate, a barrier layer on the nitride-based channel layer, a contact recess in the barrier layer that extends into the channel layer, an n-type nitride-based semiconductor material contact region on the nitride-based channel layer in the contact recess, an ohmic contact on the nitride-based contact region and a gate contact disposed on the barrier layer adjacent the ohmic contact. The n-type nitride-based semiconductor material contact region and the nitride-based channel layer include a surface area enlargement structure.
L'invention concerne la fabrication de transistors et plus précisément un procédé de fabrication de transistors à base de nitrure, consistant à former une couche canal à base de nitrure sur un substrat, à former une couche limite sur la couche canal à base de nitrure, à former un espace de contact dans la couche limite pour exposer une région de contact de la couche canal à base de nitrure, à former une couche de contact sur la région de contact exposée de la couche canal à base de nitrure, à l'aide d'un processus de dépôt à basse température, par exemple, à former un contact ohmique sur la couche de contact et à former une contact de grille sur la couche limite, à proximité du contact ohmique. L'invention concerne également un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) et des procédés destinés à la fabrication d'un HEMT. Ce HEMT comprend une couche canal à base de nitrure sur un substrat, une couche limite sur la couche canal à base de nitrure, un espace de contact dans la couche limite qui s'étend dans la couche canal, une région de contact en matériau semi-conducteur à base de nitrure de type n sur la couche canal à base de nitrure dans l'espace de contact, un contact ohmique sur la région de contact à base de nitrure et un contact de grille disposé sur la couche limite, à proximité du contact ohmique. La région de contact en matériau semi-conducteur à base de nitrure de type n et la couche canal à base de nitrure comportent une structure d'agrandissement de surface active.
Saxler Adam William
Smith Richard Peter
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
Methods of fabricating nitride-based transistors having... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Methods of fabricating nitride-based transistors having..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Methods of fabricating nitride-based transistors having... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1714625