Mram device with shared source line

Details Mram device with shared source line Mram device with shared source line

G - Physics

11

C

G11C 11/16 (2006.01)

Patent

CA 2710332

In a particular embodiment, a memory device includes a first memory cell and a second memory cell. The memory device also includes a first bit line associated with the first memory cell and a second bit line associated with the second memory cell. The memory device also includes a source line coupled to the first memory cell and coupled to the second memory cell. The memory cell may be formed by spin transfer torque magnetoresistive memory cells having selection field effect transistors. The memory cell may also be formed as complementary cell pairs. Half-selected cells are supplied with or across them to prevent read disturb.

Dans un mode de réalisation particulier, un dispositif de mémoire comporte une première cellule de mémoire et une seconde cellule de mémoire. Le dispositif de mémoire comprend en outre une première ligne de bits associée à la première cellule de mémoire et une seconde ligne de bits associée à la seconde cellule de mémoire. Le dispositif de mémoire comprend par ailleurs une ligne de source couplée à la première cellule de mémoire et couplée à la seconde cellule de mémoire. La cellule de mémoire peut être formée de cellules de mémoire magnétorésistantes à couple de transfert de spin comportant des transistors à effet de champ sélectifs. La cellule de mémoire peut également être réalisée sous la forme de paires de cellules complémentaires. Des cellules à moitié sélectionnées sont fournies avec elles ou par leur biais afin d'éviter que la lecture ne soit perturbée.

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