C - Chemistry – Metallurgy – 11 – D
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
11
D
C11D 11/00 (2006.01) C11D 3/39 (2006.01) C11D 3/395 (2006.01) C11D 7/22 (2006.01) C11D 7/26 (2006.01) C11D 7/32 (2006.01) C11D 7/34 (2006.01) C11D 7/50 (2006.01) G03F 7/42 (2006.01)
Patent
CA 2558069
Nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions for cleaning nanoelectronic and microelectronic substrates under supercritical fluid state conditions, and particularly cleaning compositions useful with and having improved compatibility with nanoelectronic and microelectronic substrates characterized by silicon dioxide, sensitive low-.kappa. or high-.kappa. dielectrics and copper, tungsten, tantalum, nickel, gold, cobalt, palladium, platinum, chromium, ruthenium, rhodium, iridium, hafnium, titanium, molybdenum, tin and other metallization, as well as substrates of Al or Al(Cu) metallizations and advanced interconnect technologies, are provided by nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions comprising nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions of this invention are provided by compositions comprising: (1) a supercritical main fluid reaching a supercritical fluid state at a temperature of 250~C or less and a pressure of 600 bars or less (592.2 atm, 8702.3 psi), and (2) as a secondary fluid, a modifier formulation selected from the following formulations: a) a formulation comprising: an oxidizing agent; a polar organic solvent selected from the group consisting of amides, sulfones, sulfolenes, selenones and saturated alcohols; and optionally other components; b) a silicate free formulation comprising: a polar organic solvent selected from the group consisting of amides, sulfones, selenones and saturated alcohols; a strong alkaline base; and optionally other components; c) a formulation comprising: from about 0.05% to 30% by weight of one or more non-ammonium producing strong base containing non-nucleophilic, positively charged counter ions; from about 0.5 to about 99.95% by weight of one or more corrosion inhibiting solvent compounds, said corrosion inhibiting solvent compound having at least two sites capable of complexing with metals; and optionally other components; d) a formulation comprising: from about 0.05 to 20% by weight of one or more non- ammonium producing, non-HF producing fluoride salt; from about 5 to about 99.95% by weight of water, organic solvent or both water and organic solvent; and optionally other components; and e) a formulation comprising: from about 0.05% to 30% by weight of one or more non-ammonium producing strong base containing non-nucleophilic, positively charged counter ions; from about 5 to about 99.95% by weight of one or more steric hindered amide solvents; and optionally other components.
L'invention concerne des compositions de nettoyage nanoélectronique et microélectronique pour le nettoyage de substrats nanoélectroniques et microélectroniques dans des conditions propres à l'état de fluide supercritique, et en particulier des compositions de nettoyage utiles avec ces substrats et ayant une compatibilité améliorée avec eux, que caractérisent des diélectriques sensibles au dioxyde de silicium, à K faible ou élevé, et à métallisations cuivre, tungstène, tantale, nickel, or, cobalt, palladium, platine, chrome, ruthénium, rhodium, iridium, hafnium, titane, molybdène, étain et autres, y compris les substrats à métallisation Al ou Al(Cu) et à technologie d'interconnexion avancée, comprenant: (1) un fluide supercritique principal atteignant l'état de fluide supercritique à une température inférieure ou égale à 250 ·C et une pression inférieure ou égale à 600 bars (592,2 atm, 8702,3 psi), et (2) comme fluide secondaire, une formulation de modification pouvant être: a) une formulation comprenant: un agent d'oxydation; un solvant organique polaire qui peut être amides, sulfones, sulfolènes, sélénones et alcools saturés; et éventuellement d'autres composants; b) une formulation sans silicate comprenant: un solvant organique polaire qui peut être amides, sulfones, sélénones et alcools saturés; une base alcaline forte; et éventuellement d'autres composants; c) une formulation comprenant: entre environ 0,05 % et 30 %, en poids, d'une ou plusieurs bases fortes ne produisant pas d'ammonium et contenant des contre-ions non nucléophiles à charge positive; entre environ 0,5 et environ 99,95 %, en poids, d'un ou plusieurs composants solvants anticorrosion, lesquels ont au moins deux sites capables de formation de complexe avec des métaux ; et éventuellement d'autres composants; d) une formulation comprenant: entre environ 0,05 et 20 %, en poids, d'un ou plusieurs sels de fluorure ne produisant pas d'ammonium et pas de fluorure d'hydrogène; entre environ 5 et environ 99,95 %, en poids, d'eau, de solvant organique ou les deux à la fois; et éventuellement d'autres composants; et e) une formulation comprenant: entre environ 0,05 % et 30 %, en poids, d'une ou plusieurs bases fortes ne produisant pas d'ammonium et contenant des contre-ions non nucléophiles à charge positive; entre environ 5 et environ 99,95 %, en poids, d'un ou plusieurs solvants stériques à encombrement amide; et éventuellement d'autres composants.
Avantor Performance Materials Inc.
Mallinckrodt Baker Inc.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1844441