H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/84 (2006.01)
Patent
CA 2520661
Nanotube on gate NhT structures and applications of such, including n2 crossbars requiring only 2n control lines. A non-volatile transistor device includes a source region and a drain region of a first semiconductor type of material and a channel region of a second semiconductor type of material disposed between the source and drain region. A gate structure is made of at least one of semiconductive or conductive material and is disposed over an insulator over the channel region. A control gate is made of at least one of semiconductive or conductive material. An electromechanically-deflectable nanotube switching element is in fixed contact with one of the gate structure and the control gate structure and is not in fixed contact with the other of the gate structure and the control gate structure. The device has a network of inherent capacitances, including an inherent capacitance of an undeflected nanotube switching element in relation to the gate structure. The network is such that the nanotube switching element is deflectable into contact with the other of the gate structure and the control gate structure in response to signals being applied to the control gate and one of the source region and drain region. Certain embodiments of the device have an area of about 4F2. Other embodiments include a release line is positioned in spaced relation to the nanotube switching element, and having a horizontal orientation that is parallel to the orientation of the source and drain diffusions. Other embodiments provide an n2 crossbar array having n2 non-volatile transistor devices, but require only 2n control lines.
L'invention concerne un nanotube sur des structures TEC de grille et des applications correspondantes, comprenant des crossbars n?2¿ ne requérant que des lignes de commande 2n. Un transistor non volatil comprend une région source et une région drain d'un premier type de matériau semi-conducteur et une région de canal d'un second type de matériau semi-conducteur, disposée entre la région source et la région drain. Une structure de grille comprend au moins un matériau semi-conducteur ou conducteur et est disposée sur un isolant, sur la région de canal. Une grille de commande comprend au moins un matériau semi-conducteur ou conducteur. Un élément de commutation de nanotube à déflexion électromécanique est en contact fixe avec l'autre structure de grille et la structure de grille de commande. Ledit dispositif présente un réseau de capacités propres, y compris une capacité propre d'élément de commutation de nanotube non dévié, en rapport avec la structure de grille. Le réseau se présente de manière que l'élément de commutation de nanotube puisse être dévié en contact avec l'autre structure de grille et la structure de grille de commande, en réponse à des signaux appliqués à la grille de commande et à la région source ou à la région drain. Dans certains modes de réalisation du dispositif, il est prévu une zone d'environ 4F?2¿. Dans d'autres modes de réalisation, il est prévu une ligne de libération, positionnée de manière espacée par rapport à l'élément de commutation du nanotube et présentant une orientation horizontale parallèle à l'orientation des diffusions de source et de drain. Selon d'autres modes de réalisation, il est prévu un réseau de crossbars n?2¿ présentant des dispositifs à transistor non volatil, ne requérant que des lignes de commande 2n.
Bertin Claude L.
Brock Darren K.
Jaiprakash Venkatachalam C.
Rueckes Thomas
Segal Brent M.
Nantero Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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