Nitrogen passivation of interface states in sio2/sic structures

Details Nitrogen passivation of interface states in sio2/sic structures Nitrogen passivation of interface states in sio2/sic structures

H - Electricity

01

L

H01L 21/314 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01)

Patent

CA 2495530

A nitrided oxide layer on a silicon carbide layer is processed by annealing the nitrided oxide layer in a substantially oxygen-free nitrogen containing ambient. The anneal may be carried out at a temperature of greater than about 900 ~C, for example, a temperature of about 1100 ~C, a temperature of about 1200 ~C or a temperature of about 1300 ~C. Annealing the nitrided oxide layer may be carried out at a pressure of less than about 1 atmosphere, for example, at a pressure of from about 0.01 to about 1 atm or, in particular, at a pressure of about 0.2 atm. The nitrided oxide layer may be an oxide layer that is grown in a N2O and/or NO containing ambient, that is annealed in a N2O and/or NO containing ambient or that is grown and annealed in a N2O and/or NO containing ambient.

Cette invention concerne un procédé de traitement d'une couche d'oxyde nitruré sur une couche de carbure de silicium consistant à recuire la couche d'oxyde nitruré dans un milieu ambiant contenant de l'azote sensiblement dépourvu d'oxygène. Ce recuit peut être effectué à une température supérieure à environ 900 ·C, par exemple à une température d'environ 1100 ·C, d'environ 1200 ·C ou d'environ 1300 ·C. Le recuit de la couche d'oxyde nitruré peut être effectué à une pression inférieure à environ 1 atmosphère, par exemple à une pression comprise entre environ 0,01 et 1 atm, en particulier à une pression d'environ 0,2 atm. Cette couche d'oxyde nitruré peut être une couche d'oxyde qui est formée dans un milieu ambiant contenant N¿2?O et/ou NO, qui est recuite dans un milieu ambiant contenant N¿2?O et/ou NO ou qui est formée et recuite dans un milieu ambiant contenant N¿2?O et/ou NO.

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