Pcvd process and device for coating domed substrates

Details Pcvd process and device for coating domed substrates Pcvd process and device for coating domed substrates

C - Chemistry, Metallurgy

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C

C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/511 (2006.01) C23C 16/515 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01)

Patent

CA 2186587

A PCVD process is disclosed for producing coating layers of uniform thickness on domed substrates. The substrate surface to be coated is arranged in relation to the gas passage surface of a gas shower. In order to determine the appropriate processing parameters, in a first series of test for one type of substrate to be coated the size of the gas passage surfaces and gas mass flows through the gas passage surfaces are kept constant while the intervals between plasma impulses are gradually modified, starting from an initial value t A until an optimum value t eff is determined and until the uniformity of the thickness profile of the layers generated on the substrate may no longer be improved. If required, during a second series of tests the value t eff may be kept constant while the thickness profile of layers is further modified by further optimising local parameters and/or the gas mass flows until its uniformity may no longer be improved. The device has a gas shower subdivided into zones and whose gas passage surfaces are arranged in relation to a substrate to be coated. The zones are connected by supply lines to a source of non film-forming gas and to a gas source that supplies fresh gas.

Selon un procédé plasma-CVD de production de couches de revêtement d'épaisseur uniforme sur des substrats bombés, la surface du substrat à enduire est positionnée par rapport à la surface de passage de gaz d'une douche de gaz. Afin de déterminer les paramètres appropriés du procédé, on maintient constants, pendant une première série de tests d'un type de substrat à enduire, les dimensions des surfaces de passage de gaz et les flux massiques de gaz à travers les surfaces de passage de gaz et on modifie graduellement les intervalles entre les impulsions de plasma à partir d'une valeur initiale tA jusqu'à déterminer une valeur optimale teff et jusqu'à ce que l'uniformité du profil des couches sur les substrats ne puisse être davantage améliorée. Si nécessaire, on peut pendant une deuxième série de tests maintenir sensiblement constante la valeur teff et modifier le profil des couches par optimisation supplémentaire des paramètres locaux et/ou des flux massiques de gaz jusqu'à ce que le profil des couches ne puisse s'uniformiser davantage. Le dispositif comprend une douche (10) à zones d'apport de gaz dont les surfaces de passage de gaz (11) sont positionnées par rapport au substrat à enduire (1). Les zones (13, 14 et 15) sont raccordées par des conduits d'amenée (21, 21a et 22) à une source de gaz non filmogène (27) ainsi qu'à une source de gaz (28) qui fournit du gaz frais.

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