H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01)
Patent
CA 2392041
Gallium nitride semiconductor layers may be fabricated by etching an underlying gallium nitride layer (104) on a sapphire substrate (102a), to define at least one post (106) in the underlying gallium nitride layer and at least one trench (107) in the underlying gallium nitride layer. The at least one post includes a gallium nitride top and a gallium nitride sidewall (105). The at least one trench includes a trench floor. The gallium nitride sidewalls are laterally grown into the at least one trench, to thereby form a gallium nitride semiconductor layer. In a preferred embodiment, the at least one trench extends into the sapphire substrate such that the at least one post further includes a sapphire sidewall an a sapphire floor. A mask (201) may be included on the sapphire floor and an alluminum nitride buffer layer (102b) also may be included between the sapphire substrate and the underlying gallium nitride layer. A mask (209) also may be included on the gallium nitride top. The mask on the floor and the mask on the top preferably comprise same material.
La présente invention concerne la production de couches semi-conductrices en nitrure de gallium, par gravure d'une couche en nitrure de gallium sous-jacente (104) sur un substrat en saphir (102a), afin de définir au moins une partie en saillie (106) et une tranchée (107) dans la couche en nitrure de gallium sous-jacente. Ladite partie en saillie comprend une partie supérieure en nitrure de gallium et une paroi latérale en nitrure de gallium (105). Ladite tranchée comprend un fond de tranchée. Les parois latérales en nitrure de gallium connaissent une croissance latérale dans ladite tranchée, afin de former une couche semi-conductrice en nitrure de gallium. Dans un mode de réalisation préféré de cette invention, ladite tranchée s'étend dans le substrat en saphir, de façon que ladite partie en saillie comprenne également une paroi latérale en saphir et un fond en saphir. Un masque (201) peut être pourvu sur le fond en saphir et une couche tampon en nitrure d'aluminium (102b) peut également être pourvue entre le substrat en saphir et la couche en nitrure de gallium sous-jacente. Un masque (209) peut également être pourvu sur la partie supérieure en nitrure de gallium. Le masque sur le fond et le masque sur la partie supérieure sont de préférence constitués du même matériau.
Davis Robert F.
Gehrke Thomas
Linthicum Kevin J.
North Carolina State University
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1545718