H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01) H01L 31/052 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/20 (2006.01)
Patent
CA 2102948
The present invention is directed to provide a photovoltaic element in which the open-circuit voltage and the carrier range of holes are improved by preventing the recombination of photoexcited carriers. The photovoltaic element composed of a p-type layer, an i-type layer of a lamination structure consisting of an i-type layer by RFPCVD on the p-type layer side and an i-type layer by microwave (µW) PCVD on the n-type layer side, or an i-type layer by microwave (µw) PCVD on the p-type layer side and an i-type layer by RFPCVD on the n-type layer side, characterized in that the i-type layer by µWPCVD is one formed by a µWPCVD in which a lower µW energy and a higher RF energy than µW energy to decompose source gas at 100% are simultaneously applied to a source gas containing Si and Ge at a pressure of 50mTorr or less, such that the minimum values of bandgap is biased toward the p-type layer side off the center of the i-type layer, and the i-type layer by RFPCVD is one formed 30nm thick or less by a RFPCVD using a source gas containing a silicon containing gas at a deposition rate of 2nm/sec or less.
La présente invention vise à produire un élément photovoltaïque dont la tension en circuit ouvert et la plage de porteurs de trou sont améliorées en empêchant la recombinaison de porteurs photoexcités. L'élément photovoltaïque composé d'une couche de type p, une couche de type i d'une structure laminée composée d'une couche de type i réalisée par dépôt RFPCVD sur le côté de la couche de type p et d'une couche de type i réalisée par PCVD micro-ondes (µW) sur le côté de la couche de type n, ou d'une couche de type i réalisée par PCVD micro-ondes (µW) sur le côté de la couche de type p et d'une couche de type i réalisée par RFPCVD sur le côté de la couche de type n, qui se caractérise par le fait que la couche de type i réalisée par (µW) PCVD est formée en utilisant une énergie µW inférieure et une énergie RF supérieure à l'énergie µW afin de décomposer à 100 % le gaz source. Ces énergies sont appliquées simultanément à un gaz source contenant du Si et du Ge à une pression égale ou inférieure à 50 mTorr, de telle sorte que les valeurs minimales de structure de bande soient biaisées vers le côté de la couche de type p par rapport au centre de la couche de type i, et que la couche de type i formée par RFPCVD est formée avec une épaisseur égale ou inférieure à 30 nm par dépôt RFPCVD à un taux de déposition de 2 nm/s ou moins en utilisant un gaz source contenant du silicium.
Aoike Tatsuyuki
Hayashi Ryo
Niwa Mitsuyuki
Saito Keishi
Sano Masafumi
Canon Kabushiki Kaisha
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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