Plasma etch reactor and method

Details Plasma etch reactor and method Plasma etch reactor and method

H - Electricity

01

L

H01L 21/3065 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) H05H 1/32 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)

Patent

CA 2259976

A plasma etch reactor (20) includes an upper electrode (24), a lower electrode (28), a peripheral ring electrode (26) disposed therebetween. The upper electrode (24) is grounded, the peripheral electrode (26) is powered by a high frequency AC power supply, while the lower electrode (28) is powered by a low frequency AC power supply, as well as a DC power supply. The reactor chamber (22) is configured with a solid source (50) of gaseous species and a protruding baffle (40). A nozzle (36) provides a jet stream of process gases in order to ensure uniformity of the process gases at the surface of a semiconductor wafer (48). The configuration of the plasma etch reactor (20) enhances the range of densities for the plasma in the reactor (20), which range can be selected by adjusting more of the power supplies (30, 32).

Un réacteur d'attaque au plasma (20) comporte une électrode supérieure (24), une électrode inférieure (28), et une électrode annulaire périphérique (26) disposée entre celles-ci. L'électrode supérieure (24) est mise à la terre, l'électrode périphérique est alimentée par une alimentation électrique c.a. haute fréquence, tandis que l'électrode inférieure (28) est alimentée par une alimentation électrique c.a. basse fréquence, ainsi qu'une alimentation électrique c.c.. La chambre de réacteur (22) comporte une source solide (50) d'espèces chimiques gazeuses et un déflecteur saillant (40). Une buse (36) délivre un écoulement turbulent de gaz de traitement en vue d'assurer l'homogénéité de ces derniers à la surface d'une tranche de semi-conducteur (48). La configuration du réacteur d'attaque au plasma (20) permet d'améliorer la plage de densités du plasma dans le réacteur (20), laquelle plage peut être sélectionnée par le réglage accru des alimentations électriques (30, 32).

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