H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01)
Patent
CA 2643439
Exemplary embodiments provide semiconductor devices including high-quality (i.e., defect free) group III-N nanowires and uniform group III-N nanowire arrays as well as their scalable processes for manufacturing, where the position, orientation, cross-sectional features, length and the crystallinity of each nanowire can be precisely controlled. A pulsed growth mode can be used to fabricate the disclosed group III-N nanowires and/or nanowire arrays providing a uniform length of about 10 nm to about 1000 microns with constant cross-sectional features including an exemplary diameter of about 10- 1000 nm. In addition, high-quality GaN substrate structures can be formed by coalescing the plurality of GaN nanowires and/or nanowire arrays to facilitate the fabrication of visible LEDs and lasers. Furthermore, core-shell nanowire/MQW active structures can be formed by a core-shell growth on the nonpolar sidewalls of each nanowire.
L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteur comprenant des nanofils du groupe III-N de haute qualité (à savoir sans défauts) et des réseaux uniformes de nanofils du groupe III-N ainsi que leurs procédés de fabrication modulables, où la position, l'orientation, les caractéristiques transversales, la longueur et la cristallinité de chaque nanofil peuvent être commandées avec précision. Un mode de croissance pulsée peut être utilisé pour fabriquer les nanofils et/ou les réseaux de nanofils du groupe III-N qui ont une longueur uniforme allant d'environ 10 nanomètres (nm) à environ 1 000 microns avec des caractéristiques transversales constantes, comprenant un diamètre donné à titre d'exemple allant d'environ 10 à 1 000 nm. En outre, les structures de substrat GaN de haute qualité peuvent être formées en fusionnant la pluralité de nanofils et/ou de réseaux de nanofils GaN pour faciliter la fabrication de DEL et de lasers visibles. En outre, les structures actives de nanofils/MQW de type cAEur-coquille peuvent être formées par une croissance de type cAEur-coquille sur les parois latérales non polaires de chaque nanofil.
Hersee Stephen M.
Sun Xinyu
Wang Xin
Sim & Mcburney
Stc.unm
LandOfFree
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