H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 37/302 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01)
Patent
CA 2250210
A hybrid exposure strategy for pattern generation uses wide field raster scan deflection and a uniformly moving stage to expose long stripes. Periodic analog wide field magnetic scan is augmented by a high speed electrostatic retrograde scan to keep the beam stationary during exposure of rectangular flash fields. The system's data path utilizes a pattern represented in a rasterized format. Intermediate vector data bases are created using fracture rules that limit feature and hierarchical cell size to be smaller than overlapping fringes of stripe data fields. Rectangular flash fields are employed with each field being a 1 by n array of writing pixels. The length, origin position and dose of line shaped beam flashes can be varied to allow patterns to be exposed on a design grid much smaller than a writing pixel. The length, origin position and dose data for each flash is derived from a rasterized data format using a decoder device. In this manner multiple writing pixels are exposed simultaneously without compromising resolution or diagonal line edge roughness, thus enhancing exposure rate. A high flash rate is assured by including astigmatic illumination to maximize beam current, and leveraged co-planar blanking and shaping deflection to minimize drive voltages.
La présente invention concerne une stratégie d'exposition hybride pour la génération de motifs qui utilise une déviation du balayage ligne par ligne à champ large et une plage de projection à déplacement uniforme de façon à exposer des bandes longues. Le balayage analogique périodique en champ large par procédé magnétique est augmenté d'un balayage rétrograde grande vitesse par procédé électrostatique de façon à garder stationnaire le faisceau pendant l'exposition de zones à éclairs rectangulaires. Le chemin de données du système utilise un motif représenté en format tramé. Des bases de données de vecteurs intermédiaires sont créées à partir de règles de fracture limitant la caractéristique et la taille hiérarchique de cellule de façon qu'elles soient inférieures à celles des franges de chevauchement des zones de données des bandes. On emploie des zones à éclairs rectangulaires, chaque zone étant une matrice 1 par n de pixels écriture. La longueur, la position origine et la dose des éclairs de faisceaux linéaires peuvent être augmentées ou diminuées de façon à permettre l'exposition des motifs sur une grille de dessin bien plus petite qu'un pixel écriture. Les données longueur, position origine et dose de chaque éclair sont déduites du format de données tramées au moyen d'un dispositif décodeur. De cette façon, de multiples pixels écriture sont exposés simultanément sans compromettre la résolution ni les irrégularités du bord de ligne diagonale, augmentant ainsi le coefficient d'exposition. On garantit une cadence d'éclairs élevée en incluant un éclairement astigmate tendant à maximiser le courant du faisceau, et en incluant une déviation de mise à blanc et de mise en forme coplanaire moyennée tendant à minimiser les tensions d'attaque.
Devore William
Smith R. L.
Teitzel Robin
Veneklasen Lee H.
Etec Systems Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
Raster shaped beam writing strategy system and method for... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Raster shaped beam writing strategy system and method for..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Raster shaped beam writing strategy system and method for... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1567079