Reactive ion etching of silica structures

Details Reactive ion etching of silica structures Reactive ion etching of silica structures

C - Chemistry, Metallurgy

03

C

C03C 15/00 (2006.01) C03C 17/32 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) C23C 14/12 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01) G02B 6/136 (2006.01)

Patent

CA 2265617

The invention relates to a method for etching of silica-based layers/substrates by reactive ion etching system (10) using an etching gas mixture of CHF3/AR through a photoresist mask. Reactive ion etching is carried out under conditions of simultaneous isotropic deposition of a carbon-based polymer where the polymer deposition rate is controlled by adjusting process control parameters of RF power, sample temperature, O2 and CF4 additions.

L'invention concerne un procédé de gravure de couches/substrats à base de silicium par un système (10) d'attaque par ions réactifs, qui utilise un mélange gazeux de gravure constitué de CHF¿3?/AR à travers un masque en résine photosensible. La gravure par ions réactifs est effectuée dans des conditions de dépôt isotrope simultané d'un polymère à base de carbone, la vitesse de dépôt du polymère étant régulée par ajustement des paramètres de régulation de l'opération, à savoir des paramètres de puissance radioélectrique, de température d'échantillon et d'additions d'O¿2? et de CF¿4?.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Reactive ion etching of silica structures does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Reactive ion etching of silica structures, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Reactive ion etching of silica structures will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1846333