C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
117/86
C23C 16/42 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01)
Patent
CA 1337547
Procédé de dépôt de siliciure de métal réfractaire par la technique de dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseur de métal et du précurseur de silicium pour la fabrication de circuits intégrés, caractérisé en ce que le précurseur de métal réfractaire est mélangé sous forme gazeuse à des sous-fluorures de silicium juste avant le dépôt.
580443
Hirase Ikuo
Matsuura Masamichi
Rufin Denis
Shack Michael
Sumiya Tooru
Hirase Ikuo
L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Proced Es Geo
Matsuura Masamichi
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Rufin Denis
LandOfFree
Refractory metal silicide deposit process for the production... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Refractory metal silicide deposit process for the production..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Refractory metal silicide deposit process for the production... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1271800