H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/47 (2006.01) H01L 29/41 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01)
Patent
CA 2671231
A Schottky barrier diode (1) is provided with a GaN self-supporting substrate (2) having a surface (2a), a GaN epitaxial layer (3) formed on the surface (2a), and an insulating layer (4) formed on the surface (3a) of the GaN epitaxial layer (3) with an opening formed thereon. The Schottky barrier diode is also provided with an electrode (5). The electrode (5) is composed of a Schottky electrode formed inside the opening to be brought into contact with the GaN epitaxial layer (3), and a field plate electrode, which is connected to the Schottky electrode and formed to overlap the insulating layer (4). The dislocation density of the GaN self-supporting substrate (2) is 1x108cm-2 or less.
L'invention porte sur une diode à barrière Schottky (1) qui comporte un substrat autosupporté de GaN (2) comportant une surface (2a), une couche épitaxiale de GaN (3) formée sur la surface (2a) et une couche isolante (4) formée sur la surface (3a) de la couche épitaxiale de GaN (3) avec une ouverture formée sur celle-ci. La diode à barrière Schottky est également dotée d'une électrode (5). L'électrode (5) est constituée par une électrode Schottky formée à l'intérieur de l'ouverture devant être amenée en contact avec la couche épitaxiale de GaN (3), et une électrode de plaque de champ, qui est connectée à l'électrode Schottky et formée de façon à chevaucher la couche isolante (4). La densité de dislocation du substrat autosupporté de GaN (2) est de 1 x 108 cm-2 ou moins.
Horii Taku
Kiyama Makoto
Miyazaki Tomihito
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1725840