C - Chemistry – Metallurgy – 03 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
03
C
C03C 17/09 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01)
Patent
CA 2574771
The invention relates to a method of selective doping of a material by a) radiating a predetermined pre-treated pattern/region into the material, b) treating the material for producing reactive groups in the pre-treated pattern/region, and c) doping the material by the atomic layer deposition method for producing a pattern/region doped with a dopant in the material. The invention further relates to a selectively doped material, a system for preparing a selectively doped material, and use of said method.
L'invention concerne un procédé de dopage sélectif d'un matériau par : a) émission de rayonnement sur un motif/une région prétraité(e) prédéterminé(e) dans le matériau, b) traitement du matériau pour produire des groupes réactifs dans le motif/la région prétraité(e) et, c) dopage du matériau par le procédé de dépôt de couches atomiques pour produire un motif/une région dopé(e) à l'aide d'un dopant dans le matériau. L'invention concerne également un matériau sélectivement dopé, un système de préparation d'un matériau sélectivement dopé, ainsi que l'utilisation dudit procédé.
Kurki Jouko
Niinisto Lauri
Paivasaari Jani
Pimenoff Joe
Putkonen Matti
Beneq Oy
Cassan Maclean
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1540872