H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/337 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H01L 29/80 (2006.01) H01L 29/808 (2006.01)
Patent
CA 2738680
A MOSFET which is a semiconductor device capable of achieving a stable reverse breakdown voltage and reduced on-resistance includes a SiC wafer of an n conductivity type, a plurality of p bodies (21) of a p conductivity type formed to include a first main surface (20A) of the SiC wafer, and n+ source regions (22) of the n conductivity type formed in regions surrounded by the plurality of p bodies (21), respectively, when viewed two-dimensionally. Each of the p bodies (21) has a circular shape when viewed two-dimensionally, and each of the n+ source regions (22) is arranged concentrically with each of the p bodies (21) and has a circular shape when viewed two-dimensionally. Each of the plurality of p bodies (21) is arranged to be positioned at a vertex of a regular hexagon when viewed two-dimensionally.
La présente invention concerne un MOSFET, c?est-à-dire un dispositif à semi-conducteur ayant une résistance à la pression stable et capable de réduire la résistance à l'état passant, comportant une tranche de SiC dont le type de conductivité est le type n, une pluralité de corps p (21) dont le type de conductivité est le type p et qui sont formés de manière à comprendre une première surface principale (20A) de la tranche SiC, et une région source n+ (22) dont le type de conductivité est le type n et qui est formée dans une région entourée par chacun des corps de la pluralité de corps p (21) selon une vue en plan. Le corps p (21) a une forme circulaire en plan, et la région source n+ (22) a une forme circulaire, disposée de façon à être concentrique par rapport au corps p (21) dans une vue en plan. La pluralité de corps p (21) sont disposés de manière à être placés aux sommets respectifs d?un hexagone régulier dans une vue en plan.
Honaga Misako
Masuda Takeyoshi
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1628269