H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/337 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 29/808 (2006.01)
Patent
CA 2761473
Disclosed is a JFET (100) which is a semiconductor device that can be manufactured at a reduced cost. The JFET (100) comprises a silicon carbide substrate (1), an active layer (8) that is formed from single crystal silicon carbide and arranged on one main surface of the silicon carbide substrate (1), a source electrode (92) that is arranged on the active layer (8), and a drain electrode (93) that is arranged on the active material layer (8) at a distance from the source electrode (92). The silicon carbide substrate (1) contains a base layer (10) that is formed from single crystal silicon carbide and an SiC layer (20) that is arranged on the base layer (10). The defect density of the SiC layer (20) is lower than the defect density of the base layer (10).
La présente invention a trait à un transistor à effet de champ à jonction (100) qui est un dispositif à semi-conducteurs qui peut être fabriqué à un coût réduit. Le transistor à effet de champ à jonction (100) comprend un substrat de carbure de silicium (1), une couche active (8) qui est constituée de carbure de silicium monocristallin et qui est disposée sur une surface principale du substrat de carbure de silicium (1), une électrode de source (92) qui est disposée sur la couche active (8), et une électrode de drain (93) qui est disposée sur la couche active (8) à une certaine distance de l'électrode de source (92). Le substrat de carbure de silicium (1) contient une couche de base (10) qui est constituée de carbure de silicium monocristallin et une couche de SiC (20) qui est disposée sur la couche de base (10). Le taux de défauts de la couche de SiC (20) est inférieur au taux de défauts de la couche de base (10).
Fujikawa Kazuhiro
Fujiwara Shinsuke
Harada Shin
Namikawa Yasuo
Nishiguchi Taro
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1628734