G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/42 (2006.01)
Patent
CA 2330747
The invention provides aqueous alkaline compositions useful in the microelectronics industry for stripping or cleaning semiconductor wafer substrates by removing photoresist residues and other unwanted contaminants. The compositions typically contain (a) one or more metal ion-free bases at sufficient amounts to produce a pH of about 11 or greater, (b) about 0.01 % to about 5 % by weight (expressed as % SiO2) of a water-soluble metal ion-free silicate; (c) optionally, about 0.01 % to about 10 % by weight of one or more chelating agents; (d) optionally, about 0.01 % to about 80 % by weight of one or more water-soluble organic co-solvents; (e) optionally, about 1 % to about 50 % by weight of titanium residue removal enhancer and (f) optionally, about 0,01 % to about 1% by weight of a water-soluble surfactant.
L'invention concerne des compositions alcalines aqueuses utiles en micro-électronique pour éliminer ou nettoyer sur les substrats de plaquette en semi-conducteur les résidus de photorésist ou autres contaminants indésirables. En règle générale, les compositions considérées renferment (a) une ou plusieurs bases sans ions métalliques, en quantités suffisantes pour produire un pH d'environ 11 ou supérieur; (b) entre environ 0,01 % et environ 5 %, en poids (% de SiO¿2?), d'un silicate hydrosoluble sans ions métalliques; (c) éventuellement, environ entre 0,01 % et environ 10 %, en poids, d'un ou plusieurs chélateurs; (d) éventuellement, entre environ 0,01 % et environ 80 %, en poids, d'un ou plusieurs cosolvants organiques hydrosolubles; (e) éventuellement, entre environ 1 % et environ 50 %, en poids, d'un activateur d'élimination de résidu de titane ; et (f) éventuellement, entre environ 0,01 % et environ 1 %, en poids, d'un tensioactif hydrosoluble.
Avantor Performance Materials Inc.
Mallinckrodt Inc.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1691259